半導體物理名詞解釋總結（半導體物理）

大家好，我是小夏，我來為大家解答以上問題。半導體物理名詞解釋總結，半導體物理很多人還不知道，現在讓我們一起來看看吧！

對于非簡并的n型半導體，如果把導帶中的所有可能被電子占據的能級都歸并到導帶底（Ec）這一條能量水平線上（設歸并到一起的能級的密度為Nc），那么電子占據各條能級的幾率就都將一樣（等于exp[－(Ec－Ef)/(kT)]），于是就可直接寫出導帶電子的濃度與Fermi能級的關系為no=Nc exp[-(Ec-Ef)/kT].

當然，這時歸并到導帶底的有可能被占據的能級的密度（Nc）必然不等于整個導帶的能級密度，則稱Nc為導帶的有效能級密度（或者有效狀態密度）。因為溫度越高，電子的能量就越大，則在導帶中有可能占據的能級數目就越多，故有效能級密度與溫度T有關；仔細的分析可給出為Nc=2(2πm*kT/h2)3/2,式中的h是Planck常數，m*是電子的所謂狀態密度有效質量，T是絕對溫度。

在室溫下，對于Si，Nc=2.8×1019cm–3；對于GaAs，Nc=4.7×1017cm–3。可見，Nc比晶體的原子密度（5×1022 cm–3）要小得多。這就表明，在非簡并情況下，載流子只是占據導帶中的很少一部分能級（這時電子基本上就處在導帶底附近）。

本文到此講解完畢了，希望對大家有幫助。