場效應晶體管是用什么控制漏極電流（場效應晶體管）

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原發布者:kevlar0223

場效應晶體管基本知識1.2.評價FET器件性能的基本參數為：閾值，場效應遷移率，開關比和亞閾值斜率。在不同柵壓VG下，源漏電流ISD隨源漏電壓VSD的變化曲線稱為FET的輸出特征曲線；在不同的源漏電壓VSD下，源漏電流ISD隨柵壓VG的變化曲線稱為FET的轉移特性曲線。（測量輸出和轉移特性曲線時，通常源極接地）3.VSDVGVT時，電壓增加的部分基本降落在隨之加長的夾斷溝道上，SD基I本趨于不變，溝道電流達到飽和，器件工作在飽和區。W(2)ISD=iμCi(VGVT)22L5.閾值電壓VT是用來度量FET中產生使其導電溝道開啟所必須的靜電誘導電荷的柵極電壓，單位為V。通常，我們希望閾值（絕對值）越低越好，這意味著器件可以在更低的電壓下正常工作。6.閾值電壓VT的獲得：一、根據描述FET工作在線性區域的公式，在較小VSD時的轉移曲線的線性區域外推至零電流處即為VT；二、利用飽和區FET轉移曲線ISD1/2VG，進行線性擬合，擬合線與VG軸的交點即為閾值電壓VT。7.8.閾值影響因素：半導體與絕緣層間界面的電荷陷阱密度、源漏電極接觸質量和是否存在內建導電溝道。場效應遷移率是指在單位電場下，電荷載流子的平均漂移速率，它反映了在不同電場下空穴或電子在半導體中

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