內存時序高好還是低好（內存時序）

大家好，我是小華，我來為大家解答以上問題。內存時序高好還是低好，內存時序很多人還不知道，現在讓我們一起來看看吧！

1、FSB：DRAM 是CPU外頻與內存單向運行頻率的比值 內存時序是一種參數，一般存儲在內存條的SPD上。

2、2-2-2-8 4個數字的含義依次為：CAS Latency（簡稱CL值）內存CAS延遲時間，他是內存的重要參數之一，某些牌子的內存會把CL值印在內存條的標簽上。

3、RAS－to－CAS Delay（tRCD），內存行地址傳輸到列地址的延遲時間。

4、Row－precharge Delay（tRP），內存行地址選通脈沖預充電時間。

5、Row－active Delay（tRAS），內存行地址選通延遲。

6、這是玩家最關注的4項時序調節，在大部分主板的BIOS中可以設定，內存模組廠商也有計劃的推出了低于JEDEC認證標準的低延遲型超頻內存模組，在同樣頻率設定下，最低“2-2-2-5”這種序列時序的內存模組確實能夠帶來比“3-4-4-8”更高的內存性能，幅度在3至5個百分點。

本文到此講解完畢了，希望對大家有幫助。