走向應變電子學二維材料中的引導激子

紐約城市學院物理學家及其在和德國的合作者團隊在激子研究方面取得了另一項進展——存在于絕緣體、半導體和一些液體中的電中性準粒子。研究人員創造了一種“激子”線，或用于激子的一維通道。由此產生的設備有朝一日可以取代現在由標準晶體管技術執行的某些任務。

弗洛里安·迪恩伯格(FlorianDirnberger)，CCNY發現與創新中心VinodMenon研究小組的博士后，以及發表在《科學進展》雜志上的研究的主要作者之一，詳細介紹了該團隊的突破。“我們的主要成就是設法創造出這些激子線，本質上是用于二維半導體中激子的一維通道，”他說。“由于電荷中性激子不是簡單地由外部電壓控制，我們不得不依賴一種不同的方法。通過將原子級薄的2D晶體沉積在一根比人的頭發細一千倍的微觀細線之上，我們在二維材料中創建了一個細長的小凹痕，稍微拉開二維晶體中的原子并在材料中引起應變。對于激子來說，這個凹痕很像水的管道，一旦被困在里面，它們必然會沿著管道移動，實現激子的準一維傳輸。”

這一進步為新設備提供了可能性。

“在納米尺度上操縱激子的運動實現了向激子器件邁出的重要一步，”Dirnberger指出。“基于二維半導體過渡金屬二硫屬化物的平臺提供了一種有趣的新方法，稱為應變電子學。”

可能的結果包括基于激子的創新設備，這些設備在室溫下工作，可以取代當代晶體管技術執行的某些任務。