SK海力士剛剛公布了其下一代HBM3內存的規格

SK 海力士剛剛公布了其下一代 HBM3 內存的規格，它將提供更高的傳輸速率、更大的容量和新的熱改進。

SK Hynix 表示其 HBM3 內存將實現高達 665 GB/s 的帶寬、雙倍容量并提供新的散熱創新

在其產品頁面上，SK 海力士現在列出了一張比較表，將其當前一代 HBM2E 內存與下一代 HBM3 內存進行比較。根據 DRAM 制造商的說法，HBM3 內存有望實現 5.2 Gbps 的 I/O 速度，比現有的 HBM2E 內存提高 44%。這也會導致內存帶寬增加，SK 海力士也提供了這方面的數據。據 SK Hynix 稱，HBM3 內存將實現高達 665 GB/s 的原始帶寬，而 HBM2E 內存最高可達 460 Gbps。這也比現有的 DRAM 提高了 44%。除此之外，SK海力士還將完善其首次在HBM2E上引入的創新，例如HBM3的增強散熱技術。該技術可在 -14C 較低溫度下為 HBM2E 內存提供高達 36% 的散熱效果。我們可以期待 HBM3 提供更好的結果。

繼續，在容量方面，我們預計第一代 HBM3 內存與 HBM2E 非常相似，后者由 16Gb DRAM Dies 組成，總共 16 GB(8-hi 堆棧)。但是，一旦 JEDEC 最終確定規范，我們可以預期 HBM3 的內存密度會增加。對于產品，我們預計明年將推出一系列產品，例如基于下一代 CDNA 架構的 AMD 的 Instinct 加速器、NVIDIA 的 Hopper GPU，以及基于其下一代 Xe-HPC 架構的英特爾未來的 HPC 加速器。