歐姆接觸定義（歐姆接觸）

大家好，我是小夏，我來為大家解答以上問題。歐姆接觸定義，歐姆接觸很多人還不知道，現在讓我們一起來看看吧！

1、除了采用高摻雜和引入復合中心這些措施來實現歐姆接觸以外，采用窄帶隙半導體構成的緩變異質結，也可以實現對寬帶隙半導體的歐姆接觸。譬如利用MBE技術制作的n-InAs/n-GaAs或者n-Ge/n-GaAs異質結，就是很好的歐姆接觸。

2、Si和GaAs器件及其IC的歐姆接觸技術已經比較成熟，但是對于在p型Ⅲ-Ⅴ族半導體上的歐姆接觸還不太容易做好，因為在退火時或在空氣中時，p型Ⅲ-Ⅴ族半導體（如p-AlGaAs）的表面要比n型的表面更容易氧化。此外，對于許多寬帶隙半導體（如CdS、AlN、SiC、GaN）的歐姆接觸，在技術上尚很不成熟，其原因是這種半導體的自補償作用（即大量的晶體本征缺陷對于施主雜質或者對于受主雜質的自發補償作用）很嚴重，它們是所謂單極半導體，從外面摻入再多的雜質也難以改變其電阻率，更難以改變其型號，所以想要利用高摻雜來獲得歐姆接觸是很困難的；這里一種可行的辦法就是加上一層高摻雜（型號相同）的窄帶隙半導體、構成一個異質結來實現歐姆接觸。

本文到此講解完畢了，希望對大家有幫助。