高壓陶瓷電容怎么測量（高壓陶瓷電容）

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高壓陶瓷電容是指應用于高電壓系統的瓷介質電容器

高壓陶瓷電容的介質介紹COG/NPO：屬1類陶介質，電氣性能最穩定，基本上不隨溫度、時間、電壓的改變而改變，適用于穩定性、可靠性要求比較嚴格的場合，由于電氣性能穩定，高頻特性好，可很好的工作在高頻、特高頻、甚高頻頻段

X7R：屬2類陶介質，電氣性能較穩定，隨溫度、時間、電壓的變化，其特性變化并不明顯，適用于要求較高的耦合、旁路、濾波電路及10MHZ的中頻場合

Y5V：屬3類陶介質，具有很高的介電系數，常用于生產小體積、大容量的電容，其容量隨溫度改變比較明顯，抗惡劣環境能力差，仍用于要求不高的濾波、旁路等電路場合

高壓陶瓷電容的原理用高介電常數的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質，并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極制成

它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種

具有小的正電容溫度系數的電容器，用于高穩定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器

低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或對穩定性和損耗要求不高的場合〈包括高頻在內〉

這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因為它們易于被脈沖電壓擊穿

高壓陶瓷電容的介質特性參數項目COG/NPOX7RY5V溫度特性0+[_]30PPM/℃+[_]15[%]+30[%]--82[%]環境溫度-55℃--+125℃-55℃--+125℃-30℃--+85℃精度范圍C、D、F、G、J、KK、MZ絕緣電阻IR≥10GΩ≥4GΩ≥4GΩ損耗高校正切≥30PF：≤1/100000≤30PF：Q=400+20*C50V≤2.5[%]；25≤3[%]16V≤3.5[%]；10V≤5[%]50V≤3.5[%]；25≤5[%]16V≤7[%]；10V≤10[%]抗電強度2.5倍VDCW2.5倍VDCW2.5倍VDCW測試條件25℃、1MHZ、1V25℃、1KHZ、1V25℃、1KHZ、03V高壓陶瓷電容的功能特點高壓陶瓷電容容體比很小，串聯電阻小，電感值小，頻率/容量特性穩定

它適用于電容量小、工作頻率高（頻率可達500MHz）的場合，用于高頻濾波、旁路、去耦

但這類電容承受瞬態高壓脈沖能力較弱，因此不能將它隨便跨接在低阻電源線上，除非是特殊設計的

CC1型(高頻低壓):材料CH(NPO)、PH(N150)、RH(N220)、SH(N330)、TH(N470)、UJ(N750)、SL(SL);容量在0.5PF~~~~820PF;CT1型(低頻低壓):2B4(Y5P)、2E4(Y5U)、2E5(Z5U)、2F4(Y5V)、2F5(Z5V);容量在220PF~~22000PF;CT81型(低頻高壓):2B4、2E4、2F4、2R4(Y5R);容量在100PF~~47000PF;CC81型(高頻高壓):SL、YL(N3300);容量在10P~~560P;CS1型(半導體類):材料:3B4、3E4、3F4,容量在10000PF~~220000PF.

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