高通發布基于 10nm FinFET 的下一代頂級驍龍 835

高通在 2015 年發布了有問題的驍龍 810 之后，迄今為止相對平靜。其當前的頂級產品驍龍 820 和驍龍 821沒有繼承驍龍 810 的過熱問題，許多 OEM 廠商都信任高通為其旗艦產品帶來動力。

今天，這家芯片制造巨頭宣布了驍龍 820 和 821 二人組的繼任者驍龍 835。高通似乎會跳過Snapdragon 830 的名字，至少現在是這樣。

高端芯片將在 2017 年進入手機，所以我們還有一些等待要做。在我們等待的同時，高通告訴我們，它再次與三星合作，以使用這家韓國科技巨頭的 10 納米 FinFET 工藝。

金魚草又復活了上個月我們告訴過您，三星率先開始批量生產基于 10 納米 FinFET 技術的片上系統 (SoC)。但臺積電緊隨其后，聯發科即將推出的 Helio X30 將采用自己的 10nm 技術。

無論如何，在驍龍820/821之后，高通和三星再次聯手推出了驍龍835。不出所料，新的硅膠片將帶來幾大好處。高通在其新聞稿中將新產品與其 14nm FinFet 前輩進行了比較，稱新的 10nm 技術使 835 體積縮小 30%，性能提高 27%，能效提高 40%。

這意味著，電池壽命應該會有所提升，未來智能手機中的其他組件將會有更多空間。原始設備制造商也可以選擇集成更大的電池等東西，從而滿足用戶對更持久設備的永無止境的渴望。

驍龍 835 還將利用高通的下一代 Quick Charge 4.0 技術，與之前的Quick Charge 3.0相比，充電速度有望提高 20% 。