半導體IGBT是什么（igbt是什么）

大家好，我是小夏，我來為大家解答以上問題。半導體IGBT是什么，igbt是什么很多人還不知道，現在讓我們一起來看看吧！

1、IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（絕緣柵雙極型晶體管）的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優點，既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優點，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優點，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內，在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用，在較高頻率的大、中功率應用中占據了主導地位。

2、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊的參數： 集電極、發射極間電壓（符號：VCES）：柵極、發射極間短路時的集電極，發射極間的最大電壓。

3、　　IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊的參數： 柵極發極間電壓（符號：VGES ）：集電極、發射極間短路時的柵極，發射極間最大電壓。

4、　　IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊的參數： 集電極電流（符號：IC ）：集電極所允許的最大直流電流。

5、　　IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊的參數： 耗散功率（符號：PC）：單個IGBT所允許的最大耗散功率。

6、　　IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊的參數： 結溫（符號：Tj）：元件連續工作時芯片溫廈。

7、　　IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊的參數： 關斷電流（符號：ICES ）：柵極、發射極間短路，在集電極、發射極間加上指定的電壓時的集電極電流。

8、　　IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊的參數： 漏電流（符號：IGES ）：集電極、發射極間短路，在柵極、集電極間加上指定的電壓時的柵極漏電流。

9、　　IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊的參數： 飽和壓降（符號：V CE（sat） ）：在指定的集電極電流和柵極電壓的情況下，集電極、發射極間的電壓。

10、　　IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊的參數： 輸入電容（符號：Clss ）：集電極、發射極間處于交流短路狀態，在柵極、發射極間及集電極、發射極間加上指定電壓時，柵極、發射極間的電容。

本文到此講解完畢了，希望對大家有幫助。