場效應管的作用（場效應管的作用是什么）

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FET 1的效應。FET可用于放大。由于FET放大器的輸入阻抗很高，耦合電容的容量可以很小，所以不需要使用電解電容。2.FET的高輸入阻抗非常適合阻抗變換。它常用于多級放大器的輸入級進行阻抗變換。3.FET可以用作可變電阻。4.場效應管可以方便地用作恒流源。5.場效應晶體管可以用作電子開關。場效應晶體管是場效應晶體管(FET)的縮寫。主要有兩種類型(結型場效應晶體管——JFET)和金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOS-FET)。由多數載流子傳導，也稱為單極晶體管。屬于壓控半導體器件。以高輸入電阻(107 ~ 1015)、低噪聲、低功耗、大動態范圍、易集成、無二次擊穿、安全工作區寬等優勢，成為雙極晶體管和功率晶體管的有力競爭者。左轉|右轉一、工作原理FET的工作原理，一言以蔽之就是“流過漏源之間溝道的ID用來控制柵極和溝道之間pn結形成的反向偏置的柵極電壓”。更準確地說，ID流過的溝道的寬度，即溝道的橫截面積，是由pn結反向偏置的變化來控制的，從而導致耗盡層的膨脹變化。在VGS=0的非飽和區，過渡層的延伸不是很大。根據施加在漏極和源極之間的VDS電場，源區中的一些電子被漏極拉走，即電流ID從漏極流向源極。從柵極延伸到漏極的過渡層使得一部分溝道被阻擋，ID飽和。這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層阻擋了一部分通道，但電流沒有被切斷。由于過渡層中沒有電子和空穴的自由移動，在理想狀態下幾乎具有絕緣特性，通常電流難以流動。但此時漏源之間的電場實際上是兩個過渡層接觸漏極和柵極的下部，被漂移電場拉走的高速電子穿過過渡層。因為漂移電場的強度幾乎是恒定的，所以會發生ID的飽和現象。其次，VGS向負方向變化，使VGS=VGS(off)，此時過渡層幾乎覆蓋整個區域。而且VDS的電場大部分施加在過渡層上，把電子拉向漂移方向的電場只有很短的一部分靠近源，使得電流無法流動。1.MOSFET功率開關電路MOSFET又叫金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。它通常

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