三星為明年的5G旗艦產品量產16GbLPDDR5

盡管三星的智能手機業務在過去兩個季度中出現了大幅下滑，但其半導體和硅業務仍然表現強勁。仿佛為了證明它比以往任何時候都強大，該公司宣布量產其迄今為止最先進的DRAM。雖然僅16Gb(千兆位，而不是千兆字節)的容量已經是最大的容量，但這是三星更引以為傲的芯片生產。

首先，它是在三星的平澤2號線生產的，它被譽為最大規模的半導體生產線。在某種程度上，這是一種獨立性和民族主義的表現，使客戶放心，該公司能夠在三星沒有直接控制的外國地區之外，從自己的家鄉生產高質量，大批量的芯片。

該第三代10nm類(1z)16Gb V-NAND也是三星公司第一款使用EUV或Extreme Ultraviolet光刻技術批量生產的芯片。簡而言之，該方法利用激光和光敏化學品以盡可能最薄和最小的尺寸蝕刻電路。結果是該芯片比三星最近發布的12Gb DRAM薄30%。

盡管體積更小，但16Gb LPDDR5有望更快，平均速度為6,400 Mb / s(兆比特/秒)。在理想情況下，這意味著它可以在一秒鐘內傳輸51.2GB的數據，相當于十個5GB的全高清電影。

三星計劃僅將這八個16Gb芯片中的八個結合在一起，以形成16GB(千兆字節)RAM封裝，暗示三星將把該模塊包裝到2021年的高級手機中。三星也將目光投向了汽車應用，不過，三星正在測試該芯片的可靠性，以滿足汽車制造商和監管機構制定的環境標準。