一種智能的模型模擬器可映射憶阻器存儲器的復雜現象

憶阻器存儲技術被吹捧為下一代邊緣計算最有希望的候選者之一，它有望使全世界的計算機發生革命性變化。由于該技術在高效的內存計算，機器學習和神經形態計算中的實現，因此在替代閃存方面引起了廣泛的關注。實現模型以準確地預測憶阻器存儲技術的現象至關重要，因為這將使工程師能夠設計行為更高效的系統，以制造更便宜，更快的存儲器。

當前，已經報道了廣泛的實驗和建模研究以了解傳輸過程，該過程在電流通過設備時發生。在模型仿真器中應用了一些重要的特性(例如施加的電壓，電場，材料常數等)來預測此過程。借助仿真工具和先進的觀測技術，可以通過各種模型來分析運輸過程。

由新加坡領導的合作已成功創建了一個模擬器，該模擬器使用電子和熱學組件來制作“運輸模式”。然后，團隊使用此混合平臺來應對內存技術方面的長期挑戰：許多條件下的傳輸過程。

通訊作者，SUTD的Desmond Loke助理教授說：“我們所做的是采用一個模型的兩個不同組件，憶阻器模型，它們表現出彼此不同的行為。將它們放在一起，就可以創建一種傳輸模式準確度是傳統模型的700倍。”

由于焦耳加熱，器件的潛在溫度升高，并產生電子特性的變化，例如電子的遷移率和陷阱的深度。這些變化影響憶阻器存儲器的傳輸行為的分析和預測。通過考慮傳輸行為的模型以及與電子遷移率和陷阱深度有關的假設，可以精確地預測憶阻器存儲單元的傳輸行為。此外，通過描述由一組全新的通用限流參數獲得的器件特性，可以充分考慮豐富的傳輸和開關行為。