三星推出其第三代HBM2E Flashbolt存儲器

三星本周宣布了其第三代HBM2E“ Flashbolt”存儲器。最新一代的高帶寬內存2旨在最大程度地提高HPC系統的計算性能，并協助制造商改進其超級計算機設計。

三星的新型“ Flashbolt” HBM2E的容量將是上一代8GB“ Aquabolt” HBM2的兩倍，同時可以顯著提高帶寬并提高電源效率，從而顯著提高下一代計算機系統的性能。

三星內存銷售與市場營銷執行副總裁Cheol Choi表示：“隨著當今市場上性能最高的DRAM的推出，我們正在邁出關鍵的一步，以增強我們在快速增長的高端內存市場中作為領先創新者的作用。電子產品。“隨著我們鞏固在全球存儲器市場的優勢，三星將繼續履行其帶來真正差異化解決方案的承諾。”

為了在HBM2E中實現16GB的容量，三星在緩沖芯片頂部垂直堆疊了8層10nm級(1y)16千兆位DRAM芯片。該封裝以40,000個TSV的排列相互連接，每個16Gb芯片包含5600多個微觀孔。

新型“ Flashbolt” HBM2E通過使用用于信號傳輸的優化電路設計，提供了每秒3.2吉比特的數據傳輸速度，并在某些應用中提供了每堆棧410GB / s的內存帶寬。這些性能指標比以前的HBM2 Aquabolt的307GB / s帶寬提高了1.7倍。