新型DRAM可能為即時PC鋪平道路

值得期待的事情：在單個封裝中具有RAM和NAND的優勢是存儲器制造商多年來一直在嘗試的嘗試，但收效甚微。新型的非易失性存儲器可能是設備的關鍵，因為它具有類似于RAM的速度和類似于NAND的功能，在斷電時可以幾乎立即打開并從您上次中斷的位置繼續恢復。

如果您一直關注有關內存技術的新聞，則可能聽說過幾種可使RAM和SSD更快，更密集，更節能的技術。那里還有許多研究集中在尋找一種進行“內存中計算”的方法，從根本上消除了數據在處理器，內存和設備的非易失性存儲之間往返的需求。

所有這些都源于以下事實：將數據寫入DRAM是快速且節能的，但是一旦斷電，數據的完整性也會隨之下降。然后，您必須不斷刷新該數據，效率不是很高。另一方面，NAND是一種相對健壯的數據存儲方式，但是寫入和擦除操作速度很慢，會使單元性能下降，使其無法用作工作內存。

英國蘭開斯特大學的研究人員說，他們已經建立了一種新型的非易失性存儲器，它以DRAM的速度工作，而據報道在寫入數據時僅消耗后者所需能量的百分之一。

原型技術稱為UK III-V存儲器，它基于20納米光刻工藝構建。研究人員解釋說，它提供了5ns的寫入時間(與DRAM相當)和類似閃存的讀取簡單性。但最有趣的功能實際上是非易失性，即在斷電時保持數據完整的能力。