SK海力士展示176層4DNAND閃存

SK海力士宣布已經完成了業界最多層的，由176層組成的多層512 Gb三層單元(TLC)4D NAND閃存的開發。該公司表示，上個月向控制公司提供了樣品，以便他們可以圍繞它設計產品。以前，SK hynix使用96層NAND閃存產品來推廣其4D技術，該產品將Charge Trap Flash和高集成度Peri相結合。

新型176層NAND閃存是第三代4D產品，該公司表示，該產品可確保業界每晶圓數量最多的芯片。每個晶片更多的芯片使位生產率比上一代產品提高了35%，具有差異化的成本競爭力。通過采用兩格單元陣列選擇技術，單元讀取速度比上一代提高了20%。

通過采用加速技術而不增加進程數量，SK hynix還將數據傳輸速度提高了33%，達到1.6 Gbps。使用新技術的消費者和企業固態硬盤將在明年年中面世，最大讀取速度提高70%，最大寫入速度提高35%。

SK hynix表示，它克服了增加NAND閃存產品中的層數所帶來的挑戰，例如單元電流減少，通道扭曲以及由于雙堆疊未對準而導致的單元分布惡化。它使用單元中間層高度減小，層可變時序控制和超精確對準來克服這些障礙。

將使用新型176層NAND閃存開發的產品包括采用新型NAND的雙倍密度的1Tb產品。存儲產品始終歡迎更快的讀寫速度，這對于企業用戶和計算機愛好者來說是個好消息。沒有跡象表明使用新技術可能會花費多少產品。