• 您現在的位置是:首頁 >要聞 > 2020-11-19 16:26:37 來源:

    第三代半導體概念喜憂參半

    導讀 隨著第三代半導體產業新風口的持續發酵,各概念股在大幅上漲之后,突然集體下挫。9月11日,亞光科技(300123 SZ)、露笑科技(002617 SZ)、乾

    隨著第三代半導體產業新風口的持續發酵,各概念股在大幅上漲之后,突然集體下挫。9月11日,亞光科技(300123.SZ)、露笑科技(002617.SZ)、乾照光電(300102.SZ)均大跌超8%,而奧海科技(002993.SZ)漲停,易事特(300376.SZ)、華燦光電(300323.SZ)漲幅均超過3%。

    值得注意的是,亞光科技、露笑科技、乾照光電三股經過多日斷崖式下跌,跌幅均超30%。業界認為,本次下跌主要是一些個股在前期“蹭熱點”,大幅上漲后的回調,畢竟市場需要的是“真材實料”。

    以露笑科技為例,今年8月10日,露笑科技突然發布一則進軍半導體產業的公告。而在2019年之前,公司的主營業務與半導體沒有任何關系。同時,從其年報也可以看出,該公司研發投入過少,對于總資產、高投入的芯片行業來說,無疑是杯水車薪。

    據悉,華潤微、三安光電、賽微電子、聞泰科技、士蘭微等知名半導體公司早已開始布局第三代半導體產業。

    例如,今天,華潤微在互動平臺上表示,公司目前在積極布局第三代半導體,公司于7月4日在慕尼黑上海電子展上召開了SiC(碳化硅)新品發布會,正式向市場投入1200V和650V工業級SiC肖特基二極管功率器件產品系列,與此同時宣布國內首條6英寸商用SiC晶圓生產線正式量產。GaN方面也在積極利用現有的全產業鏈優勢,正在從襯底材料,器件設計、制造工藝,封裝工藝全方位開展硅基氮化鎵的研發工作。

    第三代半導體材料是指帶隙寬度明顯大于Si的寬禁帶半導體材料,主要包括SiC、GaN、金剛石等,具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優點,可以滿足現代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻以及高輻射等惡劣條件的新要求。

    目前,從中下游需求端的情況來看,第三代半導體已經開始步入應用階段。例如,氮化鎵(GaN)電力電子器件正在開始被應用在以智能手機為代表的消費電子快充領域。今年2月,小米新品發布會上推出明星產品65W GaN充電器,引爆市場對GaN的關注;隨后4月,華為在其P40系列國行版線上發布會上也推出了GaN雙口超級快充充電器;最近,供應鏈消息稱OPPO加單至8,500萬部智能手機,這批加單中有部分產品標配GaN充電器。

    目前,在美國壓制下,國內半導體行業面臨嚴峻危機。盡管第三代半導體概念在國內被熱炒,甚至認為是中國“彎道超車”的良機。但是,半導體產業歷來都是高門檻、高投入、重資產、慢收益的行業,僅僅依靠炒作和“蹭熱點”,顯然無濟于事,需要自上而下的自主研發和技術創新,才能加速國產替代的進程。

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