基于二維半導體可逆摻雜的可編程電子產品

近年來，研究人員一直在嘗試開發新型的高性能電子設備。隨著基于硅的器件正接近其最大性能，它們最近開始探索使用替代超導體制造電子器件的潛力。

二維(2-D)半導體，例如石墨烯或二硒化鎢(WSe 2)，對于電子學的發展特別有希望。然而，不幸的是，由于這些材料的晶格內摻入雜質摻雜劑的空間有限(控制半導體材料的載流子類型和電子性能至關重要的過程)，控制這些材料的電子性能可能非常具有挑戰性。

加利福尼亞大學洛杉磯分校的研究人員最近設計了一種方法，可以開發由2D半導體制成的可編程設備。該方法發表在《自然電子》上的論文中，該方法利用碘化銀中的超離子相變，通過稱為可切換離子摻雜的過程，在由WSe 2制成的器件中調整載流子類型。

進行這項研究的研究人員之一段向峰告訴TechXplore：“我們工作的主要目標是創建可在中等溫度下編程并且在室溫下穩定運行的可編程電子設備。” “我們的研究首次證明超離子材料可用于定制原子薄半導體的電荷載流子類型，并創建極性可切換的可編程電子組件，例如二極管和晶體管，它們可在室溫下穩定運行，并且可以通過某些方式擦除環境提示。”