新技術可能導致可重寫存儲設備和低功耗電子產品

由伯克利實驗室材料科學系高級教授，加州大學伯克利分校物理學教授Alex Zettl領導的研究小組，開發了一種新技術，該技術可以用超薄材料制造下一代電子產品的超薄材料，例如可擦寫，低功耗等。存儲電路。他們的發現發表在《自然電子》雜志上。

研究人員使用分子鑄造廠的納米制造設備，制備了兩種不同的二維裝置，稱為范德華異質結構：一種是將石墨烯夾在兩層氮化硼之間;另一種是將石墨烯夾在兩層氮化硼之間。另一種是將二硫化鉬夾在中間。

研究人員證明，當將細細的電子束施加到氮化硼“三明治”上時，他們可以通過控制電子束暴露的強度，同時適當地控制電子束的照射強度，來將“納米級”導電通道或納米電路“寫入”核心“活性”層。背柵電場。

當將這些納米電路寫入石墨烯或二硫化鉬層時，它們可以使高密度的電子或稱為空穴的準粒子在狹窄的預定軌道上以超高速積累并在半導體中移動，并且幾乎沒有碰撞，例如汽車在幾英寸內的高速公路上賽車彼此不會墜毀或停轉。

研究人員還發現，將帶有特殊背柵的電子束重新施加到二維材料上，可以擦除已經寫入的納米電路，或者在同一設備中寫入其他或不同的電路，這表明該技術具有巨大的潛力。下一代可重構2D電子產品。

重要的是，研究人員證明，即使去除了電子束和背柵，該材料的導電狀態和超高電子遷移率仍然存在。伯克利實驗室材料科學部和加州大學伯克利分校的Zettl實驗室的首席科學家吳石說，這一發現對于許多應用都是至關重要的，包括不需要恒定功率來保存數據的節能型非易失性存儲設備。