歐姆接觸層（歐姆接觸）

大家好,小霞來為大家解答以上的問題。歐姆接觸層，歐姆接觸這個很多人還不知道,現在讓我們一起來看看吧！

1、歐姆接觸是指金屬與半導體形成歐姆接觸是指在接觸處是一個純電阻，而且該電阻越小越好，使得組件操作時，大部分的電壓降在活動區而不在接觸面。

2、因此，其I-V特性是線性關系，斜率越大接觸電阻越小，接觸電阻的大小直接影響器件的性能指標。

3、肖特基接觸是指金屬和半導體材料相接觸的時候，在界面處半導體的能帶彎曲，形成肖特基勢壘。

4、勢壘的存在才導致了大的界面電阻。

5、與之對應的是歐姆接觸，界面處勢壘非常小或者是沒有接觸勢壘。

6、擴展資料：肖特基接觸到歐姆接觸的轉變：二維 (2D) InSe具有高達10^3 cm^2·V^-1·s^-1的電子遷移率，可以與黑磷相媲美，且能夠在空氣中穩定存在。

7、在實際應用中，2D InSe需要與金屬電極直接接觸以實現載流子的注入。

8、然而，接觸界面會形成有限的肖特基勢壘，其降低了載流子的注入效率，增大了接觸電阻，從而極大的削弱了器件性能。

9、因此，通過調節接觸界面的勢壘高度來形成低電阻歐姆接觸，對高性能半導體器件的設計，組裝和制造至關重要。

10、參考資料來源：百度百科-歐姆接觸參考資料來源：百度百科-肖特基接觸所謂歐姆接觸，是指金屬與半導體的接觸，而其接觸面的電阻值遠小于半導體本身的電阻，使得組件操作時，大部分的電壓降在于活動區(Active region)而不在接觸面。

11、 欲形成好的歐姆接觸，有二個先決條件： （1）金屬與半導體間有低的界面能障(Barrier Height) （2）半導體有高濃度的雜質摻入(N ≥10EXP12 cm-3) 前者可使界面電流中熱激發部分(Thermionic Emission)增加;后者則使界面空乏區變窄，電子有更多的機會直接穿透(Tunneling)，而同使Rc阻值降低。

12、若半導體不是硅晶，而是其它能量間隙(Energy Gap)較大的半導體(如GaAs)，則較難形成歐姆接觸 (無適當的金屬可用)，必須于半導體表面摻雜高濃度雜質，形成Metal-n＋-n or Metal-p+-p等結構。

13、歐姆接觸是半導體設備上具有線性并且對稱的電流-電壓特性曲線。

14、如果電流-電壓特性曲線不是線性的,這種接觸便叫做肖特接觸。

本文到此分享完畢，希望對大家有所幫助。