IBM:芯片制造是其局限性 但我們的技術可以解決這個問題

IBM設計了材料和流程,可以幫助提高芯片生產的效率在7 nm節點和超越。該公司的研究人員正致力于挑戰“area-selective沉積”的新興領域,技術可能有助于克服限制光刻技術來創建模式在7納米硅過程。

半工程有一個整潔的光刻圖形為什么在7海里有日益增長的興趣area-selective沉積.

技術,如“多個模式”幫助確保集成電路不斷擴展,但從28 nm芯片已經縮減到7海里流程,芯片制造商需要處理更多層次和更小的特性,需要更精準地定位模式。

這些功能需要調整層之間。別時,它會導致邊緣位置誤差(EPE),一個挑戰,英特爾光刻技術專家嚴Borodovsky相信光刻無法解決,最終將阻礙摩爾定律。

2015年,他鼓勵該行業調查area-selective沉積,IBM的研究人員正在探索的區域,這可能有一天成為一個繼任者EUV光刻,該技術三星現在準備在實驗室里的工廠經過幾十年。

晶圓廠已經在使用某些形式的選擇性沉積在金屬表面上沉積材料設備。Area-selective沉積需要一個工具,可以沉積材料的不同組合集,金屬對金屬和電介質電介質,在設備上。

魯迪·J Wojtecki,IBM的阿爾馬登研究中心研究員解釋了IBM的努力提高技術:

與傳統制造方法”,這將要求涂層襯底與抵制,模式通過曝光抵制一步,發展形象,沉淀的無機膜,然后剝離抵抗給你一個有圖案的無機材料。

“我們發現沉淀這種無機膜的方法更簡單,使用一個自對準的過程,可在預制的襯底,我們沉浸在溶液中含有的特殊材料,然后添加涂層基質沉積室,你就完成了。我們真的能夠成長的一個組件設備以可控的方式在納米???度上。”

組使用的三種主要方法之一area-selective沉積稱為原子層沉積的關注使用的自組裝單層膜(SAMs)。

它可能幫助鋪平道路硬件更好地支持人工智能應用程序,如三維結構。

“一旦我們開發的方法擴展這一過程,我們可以開始將它作為我們構建新一代硬件,無論是新人工智能硬件或設備7納米技術節點或以外,“Wojtecki說。

IBM并不是唯一一個在發展中area-selective原子層沉積技術,但Wojtecki認為他有能力調整要求應用程序的化學結構使得開發新的聚合反應,材料和表征方法,總有一天會成為可伸縮。