三星開始開發DDR6內存采用MSAP封裝技術傳輸速度高達17000Mbps

DDR5內存在幾個月前才成為主流，但三星已經處于下一代DDR6內存的早期開發過程中。三星確認DDR6內存的早期開發已經開始，利用MSAP技術并旨在提供高達17,000Mbps的速度在韓國水原舉行的一次研討會上，三星測試和系統封裝(TSP)副總裁透露，隨著未來內存本身性能的擴展，封裝技術需要不斷發展。該公司證實，它已經處于下一代DDR6內存的早期開發階段，該內存將使用MSAP技術。

據三星稱，MSAP已被其競爭對手(SK海力士和美光)用于DDR5。那么MSAP有什么新功能呢?嗯，MSAP或改進的半加法工藝允許DRAM制造商創建具有更精細電路的內存模塊。這是通過在先前未觸及的空白空間中涂覆電路圖案來實現的，從而實現更好的連接和更快的傳輸速度。下一代DDR6內存不僅將利用MSAP來增強電路連接，還可以適應將被合并到DDR6內存中的層數增加。

三星開始開發DDR6內存：采用MSAP封裝技術，傳輸速度高達17,000Mbps2

之前的拉蓋方法只在圓形銅板將要形成電路圖案的區域進行涂覆，而將其他區域蝕刻掉。

但在MSAP中，除了電路之外的區域都經過涂層處理，而空白區域則進行了電鍍，從而可以實現更精細的電路。副總裁說，隨著存儲芯片容量和數據處理速度的增加，封裝的設計必須適應這一點。Ko說，隨著層數的增加和工藝變得更加復雜，內存封裝市場也有望成倍增長。

在扇出方面，另一種將I/O端子放置在芯片外部以使芯片變得更小同時保持球布局的封裝技術，三星同時應用了扇出晶圓級封裝(FO-WLP)和風扇面板級封裝(FO-PLP)。

三星預計其DDR6設計將在2024年完成，但預計2025年之后不會商用。在規格方面，DDR6內存將是現有DDR5內存的兩倍，傳輸速度高達12,800Mbps(JEDEC)和超頻速度超過17,000Mbps范圍。目前，三星最快的DDR5DIMM具有高達7,200Mbps的傳輸速度，因此在JEDEC上提高了1.7倍，在下一代內存芯片的超頻速度下提高了2.36倍。

話雖如此，內存制造商已經強調了在未來將高達DDR5-12600的速度，因此DDR5絕對具有消費平臺的潛力。隨著AMD的Zen4和